等離子清洗設(shè)備為何在晶圓拋光后清洗中占有重要地位
等離子清洗設(shè)備尤其是在晶圓拋光后清洗中占有重要地位


工藝技術(shù)和應(yīng)用條件上的區(qū)別使得目前市場(chǎng)上的清洗設(shè)備也有明(顯)的差異化，目前，市場(chǎng)上主要的清洗設(shè)備有單晶圓清洗設(shè)備、自動(dòng)清洗臺(tái)和洗刷機(jī)三種。在21世紀(jì)致今的跨度上來(lái)看，單晶圓清洗設(shè)備、自動(dòng)清洗臺(tái)、洗刷機(jī)是主要的清洗設(shè)備。
單晶圓清洗設(shè)備一般是指采取旋轉(zhuǎn)噴淋的方式，用化學(xué)噴霧對(duì)單晶圓進(jìn)行清洗的設(shè)備，相對(duì)自動(dòng)清洗臺(tái)清洗效率較低，產(chǎn)能較低，但有著極高的制程環(huán)境控制能力與微粒去除能力。自動(dòng)工作站，也稱(chēng)槽式全自動(dòng)清洗設(shè)備，是指在化學(xué)浴中同時(shí)清洗多個(gè)晶圓的設(shè)備優(yōu)點(diǎn)是清洗產(chǎn)能高，適合大批量生產(chǎn)，但無(wú)法達(dá)到單晶圓清洗設(shè)備的清洗精度，很難滿(mǎn)足在目前(頂)尖技術(shù)下全流程中的參數(shù)要求。并且，由于同時(shí)清洗多個(gè)晶圓，自動(dòng)清洗臺(tái)無(wú)法避免交叉污染的弊端。洗刷器也是采取旋轉(zhuǎn)噴淋的方式，但配合機(jī)械擦拭，有高壓和軟噴霧等多種可調(diào)節(jié)模式，用于適合以去離子水清洗的工藝中， 包括鋸晶圓、晶圓磨薄、晶圓拋光、研磨、CVD等環(huán)節(jié)中，尤其是在晶圓拋光后清洗中占有重要地位。
單晶圓清洗設(shè)備與自動(dòng)清洗臺(tái)在應(yīng)用環(huán)節(jié)上沒(méi)有較大差異，兩者的主要區(qū)別在于清洗方式和精度上的要求，以45nm為關(guān)鍵分界點(diǎn)。簡(jiǎn)單而言，自動(dòng)清洗臺(tái)是多片同時(shí)清洗，的優(yōu)勢(shì)在于設(shè)備成熟、產(chǎn)能較高，而單晶圓清洗設(shè)備是逐片清洗，優(yōu)勢(shì)在于清洗精度高，背面、斜面及邊緣都能得到有效的清洗，同時(shí)避免了晶圓片之間的交叉污染。45nm之前，自動(dòng)清洗臺(tái)即可以滿(mǎn)足清洗要求，在目前仍然有所應(yīng)用；而在45以下的工藝節(jié)點(diǎn)，則依賴(lài)于單晶圓清洗設(shè)備達(dá)到清洗精度要求。在未來(lái)工藝節(jié)點(diǎn)不斷減小的情況下，單晶圓清洗設(shè)備是目前可預(yù)測(cè)技術(shù)下清洗設(shè)備的主流。
等離子清洗設(shè)備是貫穿半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的重要環(huán)節(jié)，用于清洗原材料及每個(gè)步驟中半成品上可能存在的雜質(zhì)，避免雜質(zhì)影響成品質(zhì)量和下游產(chǎn)品性能，在單晶硅片制造、光刻、刻蝕、沉積等關(guān)鍵制程及封裝工藝中均為必要環(huán)節(jié)。