應(yīng)用范圍：主要應(yīng)用于電子行業(yè)的手機(jī)殼印刷、涂覆、點(diǎn)膠等前處理，手機(jī)屏幕的表面處理；工業(yè)的航空航天電連接器表面清洗；通用行業(yè)的絲網(wǎng)印刷、轉(zhuǎn)移印刷前處理等。

深圳市誠峰智造有限公司是一家專業(yè)致力于提供等離子設(shè)備及工藝流程解決方案的高新技術(shù)企業(yè)，作為一家等離子清洗機(jī)廠家，使用等離子體表面處理技術(shù)為客戶解決產(chǎn)品表面處理問題。 中國香港、臺灣、深圳、蘇州、天津、成都設(shè)立六大銷售及客戶中心，銷售及客服網(wǎng)絡(luò)遍布全中國，擁有國內(nèi)外銷售及客服團(tuán)隊(duì)。 源于美國

磁力懸浮型AP等離子處理系統(tǒng)CRF-APO-MP1030-D

名稱（Name）

磁力懸浮型AP等離子處理系統(tǒng)

型號（Model）

CRF-APO-MP1030-D

電源（Power supply）

220V/AC,50/60Hz

功率（Power）

1000W/25KHz

處理高度（Processing height）

5-15mm

處理寬幅（Processing width）

20-80mm（Option）

內(nèi)部控制模式（Internal control mode）

數(shù)字控制

外部控制模式（External control mode）

RS485/RS232數(shù)字通訊口、

模擬量控制口

工作氣體（Gas）

Compressed Air （0.4mpa）

產(chǎn)品特點(diǎn)：可選配多種類型噴嘴，使用于不同場合，滿足各種不同產(chǎn)品和處理環(huán)境；

采用磁動(dòng)力作為動(dòng)力源，使用壽命長，耗損低。

具有RS485/232數(shù)字通訊口和模擬量控制口，滿足客戶多元化需求。

設(shè)備尺寸小巧，方便攜帶和移動(dòng)，節(jié)省客戶使用空間；

可In-Line式安裝于客戶設(shè)備產(chǎn)線中，減少客戶投入成本；

使用壽命長，保養(yǎng)維修成本低，便于客戶成本控制；

應(yīng)用范圍：主要應(yīng)用于電子行業(yè)的殼印刷、涂覆、點(diǎn)膠等前處理，屏幕的表面處理；工業(yè)的航空航天電連接器表面清洗；通用行業(yè)的絲網(wǎng)印刷、轉(zhuǎn)移印刷前處理等。

等離子體可將氣體分子離解或分解為化學(xué)活性組分

    集成電路的第壹步是通過掩模向基底透射電路圖案。光敏性聚合物光刻膠經(jīng)紫外線曝光后，受照射部分通過顯影作用去除。一旦電路圖案在光刻膠上定型后，即可通過刻蝕工藝將圖案復(fù)制到多晶硅等質(zhì)地的基底薄膜上，從而形成晶體管門電路，同時(shí)用鋁或銅實(shí)現(xiàn)元器件之間的互連，或用二氧化硅來阻斷互連路徑?？涛g的作用在于將印刷圖案以極高的準(zhǔn)確性轉(zhuǎn)移到基底上，因此刻蝕工藝必須有選擇地去除不同薄膜，基底的刻蝕要求具備高度選擇性。否則，不同導(dǎo)電金屬層之間就會(huì)出現(xiàn)短路。另外，刻蝕工藝還應(yīng)具有各向異性，那樣可保證將印刷圖案精(確)復(fù)制到基底上。
等離子體可將氣體分子離解或分解為化學(xué)活性組分，后者與基底的固體表面發(fā)生反應(yīng)，生成揮發(fā)性物質(zhì)，然后被真空泵抽走。通常有四種材料必須進(jìn)行刻蝕處理：硅（慘雜硅或非慘雜硅）、電介質(zhì)（如SiO2或SiN）、金屬（通常為鋁、銅）以及光刻膠。每種材料的化學(xué)性質(zhì)都各不相同。等離子體刻蝕為一種各向異性刻蝕工藝，可以確?？涛g圖案的精(確)性、對特定材料的選擇性以及刻蝕效(果)的均勻性。等離子體刻蝕中，同時(shí)發(fā)生著基于等離子作用的物理刻蝕和基于活性基團(tuán)作用的化學(xué)刻蝕。等離子體刻蝕工藝始于比較簡單的平板二極管技術(shù)，已經(jīng)發(fā)展到時(shí)用價(jià)值數(shù)百萬美元的組合腔室，配備有多頻發(fā)生器、靜電吸盤、外部壁溫控制器以及針對特定薄膜專門設(shè)計(jì)得多種流程控制傳感器。
可進(jìn)行刻蝕處理的電介質(zhì)為二氧化硅和氮化硅。這兩種電介質(zhì)的化學(xué)鍵鍵能很高，一般需采用由碳氟化合物氣體（如CF4、C4F8等）產(chǎn)生的高活性氟等離子體才能將其刻蝕。上述氣體所產(chǎn)生的等離子體化學(xué)性質(zhì)極為復(fù)雜，往往會(huì)在基底表面產(chǎn)生聚合物沉積，一般采用高能離子將上述沉積物去除。


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