工頻介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測試儀主要用于測量高壓工業(yè)緣材料的介質(zhì)損失角的正切值及電容量。主要可以測量電容器、互感器、變壓器、緣紙、電容器薄膜等各種電工油及各種固體緣材料在工頻高壓下的介質(zhì)損耗(tgδ)和電容量( Cx)，其（工頻介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測試儀）測量線路采用“正接法”即測量對地緣的試品。

幾大系列：功能材料電學(xué)綜合測試系統(tǒng)、絕緣診斷測試系統(tǒng)、高低溫介電溫譜測試儀、極化裝置與電源、高壓放大器、PVDV薄膜極化、高低溫冷熱臺、鐵電壓電熱釋電測試儀、絕緣材料電學(xué)性能綜合測試平臺、電擊穿強(qiáng)度試驗(yàn)儀、耐電弧試驗(yàn)儀、高壓漏電起痕測試儀、沖擊電壓試驗(yàn)儀、儲能材料電學(xué)測控系統(tǒng)、壓電傳感器測控系統(tǒng)。

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北京華測工頻介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測試儀

產(chǎn)品簡介
1、工頻介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測試儀主要用于測量高壓工業(yè)緣材料的介質(zhì)損失角的正切值及電容量。主要可以測量電容器、互感器、變壓器、緣紙、電容器薄膜等各種電工油及各種固體緣材料在工頻高壓下的介質(zhì)損耗(tgδ)和電容量( Cx)，其測量線路采用“正接法”即測量對地緣的試品。由于電橋內(nèi)附有一個(gè)2500KV的高壓電源及一臺高壓標(biāo)準(zhǔn)電容器，并將副橋和檢流計(jì)與高壓電橋有機(jī)的結(jié)合在一起，特別適應(yīng)測量各類緣油和緣材料的介損(tgδ)及介電常數(shù)(ε)。
2、橋體本身帶有5kV/100pF標(biāo)準(zhǔn)電容，測量材料介損方便。
3、橋體內(nèi)附電位跟蹤器及指另儀，外圍接線及少。
4、橋體采用了多樣化的介損測量

參數(shù)規(guī)格
1、測量范圍及誤差
在Cn＝100pF    R4＝3183.2(Ω)(即10K/π)時(shí)
測量項(xiàng)目 測量范圍 測量誤差
電容量Cx 40pF－－20000pF ±0.5% Cx±2pF
介質(zhì)損耗tgδ 0～1 ±1.5％tgδx±1×10-4
在Cn＝100pF    R4＝318.3(Ω)(即1K/π)時(shí)
測量項(xiàng)目 測量范圍 測量誤差
電容量Cx 4pF－－2000pF ±0.5% Cx±2pF
介質(zhì)損耗tgδ 0～0.1 ±1.5％tgδx±1×10-4
Cx＝R4×Cn/R3
tgδ＝ω?Ｒ４?Ｃ４
高壓電源技術(shù)特性
電壓輸出：0～2500V/50Hz
高壓電流輸出：0～20mA
內(nèi)置標(biāo)準(zhǔn)電容器
電容量的名義值為100pF
tgδ小于5×10-5

固體緣材料測試電
本電適用于固體電工緣材料如緣漆、樹脂和膠、浸漬纖制品、層壓制品、云母及其制品、塑料、電纜料、薄膜復(fù)合制品、陶瓷和 玻璃等的相對介電系數(shù)（ε）與介質(zhì)損耗角正切值（tgδ）的測試。本電主要用于頻率在工頻50Hz下測量試品的相對介電系數(shù)（ε）和介質(zhì)損耗角正切值（tgδ）。本電的設(shè)計(jì)主要是參照國標(biāo)GB1409-2006。
本電采用的是三電式結(jié)構(gòu)，能有效的消除表面漏電流的影響，使測量電下的電場趨于均勻電場。
主要技術(shù)指標(biāo)
高低壓電之間距離：0～14mm可調(diào)
測量直徑：￠38±0.1mm
高壓電直徑：￠56±0.1mm
測量與保護(hù)環(huán)間隙為1±0.05
空tgδ：≤5×10-5
測試電壓：2kV
實(shí)驗(yàn)頻率：50/60Hz
常溫或耐受溫度200℃(數(shù)字百分表不能加溫）
帶數(shù)字百分表測量范圍為0~12mm
制作技術(shù)指標(biāo)依據(jù)GB/T1303.2－－-2009
注：原材料為不銹鋼與聚四氟乙烯，接口為與電橋配套用專用插座（帶專用插頭）。

產(chǎn)品

1、主要用于測量高壓工業(yè)緣材料的介質(zhì)損失角的正切值及電容量。主要可以測量電容器、互感器、變壓器、緣紙、電容器薄膜等各種電工油及各種固體緣材料在工頻高壓下的介質(zhì)損耗(tgδ)和電容量( Cx)，其測量線路采用“正接法”即測量對地緣的試品。由于電橋內(nèi)附有一個(gè)2500KV的高壓電源及一臺高壓標(biāo)準(zhǔn)電容器，并將副橋和檢流計(jì)與高壓電橋有機(jī)的結(jié)合在一起，特別適應(yīng)測量各類緣油和緣材料的介損(tgδ)及介電常數(shù)(ε)。
2、橋體本身帶有5kV/100pF標(biāo)準(zhǔn)電容，測量材料介損更為方便。
3、橋體內(nèi)附電位跟蹤器及指另儀，外圍接線及少。
4、橋體采用了多樣化的介損測量

影響介電性能的因素

下面分別討論頻率、溫度、濕度和電氣強(qiáng)度對介電性能的影響。

1）頻率

因?yàn)橹挥猩贁?shù)材料如石英玻璃、聚苯乙烯或聚乙烯在很寬的頻率范圍內(nèi)它們的ε和taδ幾乎是恒定的，且被用作工程電介質(zhì)材料，然而一般的電介質(zhì)材料必須在所使用的頻率下測量其介質(zhì)損耗因數(shù)和電容率。

電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的變化是由于介質(zhì)化和電導(dǎo)而產(chǎn)生，重要的變化是性分子引起的偶子化和材料的不均勻性導(dǎo)致的界面化所引起的。

2）溫度

損耗指數(shù)在一個(gè)頻率下可以出現(xiàn)一個(gè)至大值，這個(gè)頻率值與電介質(zhì)材料的溫度有關(guān)。介質(zhì)損耗因數(shù)和電容率的溫度系數(shù)可以是正的或負(fù)的，這取決于在測量溫度下的介質(zhì)損耗指數(shù)至大值位置。

3）濕度

化的程度隨水分的吸收量或電介質(zhì)材料表面水膜的形成而增加，其結(jié)果使電容率、介質(zhì)損耗因數(shù)和直流電導(dǎo)率增大。因此試驗(yàn)前和試驗(yàn)時(shí)對環(huán)境濕度進(jìn)行控制是必不可少的。

注：濕度的顯著影響常常發(fā)生在1MHZ以下及微波頻率范圍內(nèi)。

4）電場強(qiáng)度

存在界面化時(shí)，自由離子的數(shù)目隨電場強(qiáng)度增大而增加，其損耗指數(shù)至大值的大小和位置也隨此而變。

在較高的頻率下，只要電介質(zhì)中不出現(xiàn)局部放電，電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)與電場強(qiáng)度無關(guān)。

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