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價(jià)格:電議
所在地:陜西 西安市
型號(hào):
更新時(shí)間:2024-09-25
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公司地址:西安市西咸新區(qū)中興深藍(lán)科技產(chǎn)業(yè)園
張芳(女士) 總經(jīng)理
西安智盈電氣科技有限公司成立于2019年,公司地處西安市西咸新區(qū)秦創(chuàng)園國(guó)家高新技術(shù)開發(fā)區(qū),本公司是一家集科研開發(fā),生產(chǎn)經(jīng)營(yíng),技術(shù)服務(wù)為一體具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的高新技術(shù)企業(yè)。公司技術(shù)工藝,檢測(cè)手段完善,擁有一批長(zhǎng)期從事電力電子技術(shù),自動(dòng)控制系統(tǒng)與應(yīng)用,感應(yīng)加熱技術(shù),微電子技術(shù)基礎(chǔ)建設(shè)等研究開發(fā)的高級(jí)工程師和技術(shù)人才,實(shí)力雄厚,多項(xiàng)產(chǎn)品在行業(yè)中處于地位。已通過ISO9001質(zhì)量管理體系認(rèn)證,產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體器件研發(fā),電力,鐵路交通,新能源汽車,石油,化工,環(huán)保電子等行業(yè),公司生產(chǎn)的主要產(chǎn)品有功率半導(dǎo)體器件及組件的檢測(cè)設(shè)備及工藝設(shè)備等。公司還致力于發(fā)展系統(tǒng)工程,程序控制。新能源開發(fā)及應(yīng)用等新技術(shù)產(chǎn)業(yè),公司具有較強(qiáng)的技術(shù)開發(fā)能力,可根據(jù)用戶和市場(chǎng)的需求,提供技術(shù)方案,技術(shù)咨詢,專業(yè)培訓(xùn)與服務(wù),奉行技術(shù)創(chuàng)新,誠(chéng)信服務(wù)愿與國(guó)內(nèi)外同行及用戶真誠(chéng)合作共同進(jìn)入高科技的新時(shí)代。
通過我們自己研發(fā)的各種產(chǎn)品,比如像半導(dǎo)體器件測(cè)試儀,加快了半導(dǎo)體各類材料、半導(dǎo)體器件和工藝的開發(fā),完成制程控制、可靠性分析和故障分析;諸如IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)、IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng),它們可以滿足對(duì)IGBT的大電流、高電壓的測(cè)試要求,是檢測(cè)半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵設(shè)備;還有像雪崩能量測(cè)試儀、晶閘管電參數(shù)測(cè)試儀、二極管電參數(shù)測(cè)試儀、功率模塊可靠性測(cè)試儀、模塊高溫阻斷試驗(yàn)設(shè)備等產(chǎn)品,做的也是相當(dāng)?shù)某霾?,這就是我對(duì)我們的產(chǎn)品十分的有信心,這就是我們團(tuán)隊(duì)所有的力量。質(zhì)量是企業(yè)長(zhǎng)遠(yuǎn)生存的根基,是企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)的免死,質(zhì)量在心中,責(zé)任在肩上,誠(chéng)信在言行中,相信我們國(guó)標(biāo)標(biāo)準(zhǔn),控在品質(zhì)!
多年來,公司與時(shí)俱進(jìn),產(chǎn)品銷往全國(guó)各地,據(jù)不完全統(tǒng)計(jì),有深圳華為技術(shù)有限公司、蘇州華為技術(shù)有限公司、深圳比亞迪股份有限公司、深圳華科智源科技有限公司、廣東慧核工業(yè)器材有限公司、安徽長(zhǎng)飛半導(dǎo)體有限公司、天津中科方德科技有限公司、江蘇揚(yáng)杰半導(dǎo)體有限公司、新飛宇電子科技有限公司、揚(yáng)州國(guó)宇電子有限公司、國(guó)網(wǎng)電力科學(xué)研究院有限公司、大連東芝電力機(jī)車、清華大學(xué)、南京大學(xué)、華北電力大學(xué)等一些國(guó)有大型企業(yè)與之合作,經(jīng)過我們的不時(shí)努力和追求,也博得了眾多企業(yè)的認(rèn)可和好評(píng)。追求永不停步,創(chuàng)新永無止境,為取得長(zhǎng)足發(fā)展,公司會(huì)以優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品、前沿的技術(shù)和周到的服務(wù)來回饋用戶,為社會(huì)的科技進(jìn)步作出貢獻(xiàn)!
核心業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體功率器件測(cè)試設(shè)備的研制生產(chǎn),參數(shù)測(cè)試設(shè)備:
可控硅/晶閘管(參數(shù)測(cè)試設(shè)備:
靜態(tài)參數(shù)測(cè)試;動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè);浪涌參數(shù)測(cè)試;老化可靠性測(cè)試(高溫阻斷);熱阻參數(shù)測(cè)試。
MOSFET參數(shù)測(cè)試設(shè)備:
靜態(tài)參數(shù)測(cè)試(包括IGSS / BVR / VDS(Sat) / IDSS / VGSTH / VF / RDS(on));動(dòng)態(tài)參數(shù)(開通關(guān)斷/反向恢復(fù)/短路/安全工作區(qū))測(cè)試(包括Turn_on&off / Qrr_FRD / Qg / Rg / UIS / SC / RBSOA 等);雪崩能力測(cè)試,老化及可靠性測(cè)試(HTRB / HTGB)。
IGBT參數(shù)測(cè)試設(shè)備:
靜態(tài)參數(shù)測(cè)試(包括IGE / VGE(th) / VCEsat / VF / ICE /
1、環(huán)境溫度:8—35℃
2、相對(duì)濕度:小于75%
3、大氣壓力:86Kpa—106Kpa
4、海拔高度:1000米以下
5、電網(wǎng)電壓:AC220V±10%無嚴(yán)重諧波
6、電網(wǎng)頻率:50Hz±1Hz
7、電源功率:小于5KW
8、供電電網(wǎng)功率因數(shù):>0.9
2.2主要技術(shù)指標(biāo):2.2.1浪涌測(cè)試單元
a.通態(tài)不重復(fù)浪涌電流范圍:30~2000A(可選到20000A),分辨率1A,精度<2%±1
b.浪涌電流底寬: 10ms正弦半波,偏差小于±0.2ms(可選1mS.2mS.8.3mS等)
c. 重復(fù)浪涌電流時(shí)間(可設(shè)定):2S~10S
d.浪涌電流重復(fù)次數(shù):1~100次,可設(shè)定
e.浪涌電流下的壓降測(cè)試(僅對(duì)正弦波,可選方波)
f.浪涌波形和壓降波形顯示和保存(僅對(duì)正弦波,可選方波)
g 10uS方波電流范圍100-2000A,分辨率1A,精度<3%±1(可選5000A)
2.2.2阻斷測(cè)試
a.反向電壓:100V~1800V可調(diào)
b.反向電壓重復(fù)頻率:DC直流
c.漏電流0.01~2mA,分辨率0.001mA,精度滿量程的±5%
e.測(cè)試方式:自動(dòng)測(cè)試;
g,適合封裝:TO-220、TO-247、TO-3P
2.2.3加熱功能(可選功能):顯示溫度:0-180℃
控溫范圍:90-180℃
90-125℃ 精度誤差1.5%±1
125-150℃精度誤差1%±1
150-180℃精度誤差2%±1
10us方波浪涌測(cè)試設(shè)備
該套測(cè)試設(shè)備主要可測(cè)試以下器件:
封裝:TO-220、TO-247、TO-3P,(其它封裝可更換測(cè)試夾具工裝或可用連線方式)
手動(dòng)安裝測(cè)試器件
3.2計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)是該設(shè)備的中心控制單元,設(shè)備的所有工作程序,工作時(shí)序,開關(guān)的動(dòng)作狀態(tài),數(shù)據(jù)的采集等均由計(jì)算機(jī)完成。
計(jì)算機(jī)采用的是工業(yè)控制機(jī),具有抗電磁干擾能力強(qiáng),排風(fēng)量大等特點(diǎn)。
四、面板說明 機(jī)柜尺寸:800*800*1800帶操作臺(tái)板