IGBT測(cè)試 SCR靜態(tài)測(cè)試動(dòng)態(tài)測(cè)試服務(wù)

西安長(zhǎng)禾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司功率器件測(cè)試實(shí)驗(yàn)室(簡(jiǎn)稱長(zhǎng)禾實(shí)驗(yàn)室)位于西安市高新技術(shù)經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)，是一家專業(yè)從事功率半導(dǎo)體器件測(cè)試服務(wù)的高新技術(shù)企業(yè)，是國(guó)家CNAS 認(rèn)可實(shí)驗(yàn)室，屬于國(guó)家大功率器件測(cè)試服務(wù)中心。 長(zhǎng)禾實(shí)驗(yàn)室擁有尖端的系統(tǒng)設(shè)備、專業(yè)的技術(shù)團(tuán)隊(duì)和完善的服務(wù)體系。實(shí)驗(yàn)室現(xiàn)有的測(cè)試儀器設(shè)備100余臺(tái)套，專業(yè)測(cè)試人員20余名。我們緊跟國(guó)內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)，以客戶需求為導(dǎo)向，不斷創(chuàng)新服務(wù)項(xiàng)目和檢測(cè)技術(shù)，借助便利的服務(wù)網(wǎng)絡(luò)，為合作伙伴提供優(yōu)質(zhì)高效的技術(shù)服務(wù)。 長(zhǎng)禾實(shí)驗(yàn)室專注于功率半導(dǎo)體器件的動(dòng)、靜態(tài)參數(shù)檢測(cè)、可靠性檢測(cè)、失效分析、溫循試驗(yàn)、熱阻測(cè)試等領(lǐng)域的技術(shù)服務(wù)。業(yè)務(wù)范圍主要涉及國(guó)內(nèi)軌道交通、風(fēng)力發(fā)電、科研單位、軍工院所、工業(yè)控制、兵器船舶、航空航天、新能源汽車等行業(yè)。也是第三代半導(dǎo)體（寬禁帶半導(dǎo)體）應(yīng)用解決方案服務(wù)商。 長(zhǎng)禾實(shí)驗(yàn)室秉承創(chuàng)新務(wù)實(shí)的經(jīng)營(yíng)理念，為客戶提供優(yōu)質(zhì)的服務(wù)、完善的解決方案及全方位的技術(shù)支持；同時(shí)注重與行業(yè)企業(yè)、高校和科研院所的合作與交流，測(cè)試技術(shù)與服務(wù)水平不斷提升。 誠(chéng)信立世，感恩回饋，歡迎選擇長(zhǎng)禾實(shí)驗(yàn)室做您忠誠(chéng)的合作伙伴，共謀發(fā)展大計(jì)！

功率器件要測(cè)哪些參數(shù)？IGBT要測(cè)那些參數(shù)？功率器件的靜態(tài)參數(shù)測(cè)試/功率器件的動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試，歡迎聯(lián)系西安長(zhǎng)禾半導(dǎo)體，我們是做深圳IGBT測(cè)試、深圳SiC測(cè)試、深圳間歇壽命測(cè)試、深圳老煉測(cè)試、HTGB測(cè)試、HTRB測(cè)試、HT3GB測(cè)試、深圳熱阻測(cè)試、RTH測(cè)試、靜態(tài)/動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試、深圳DPA測(cè)試、失效分析。SCR靜態(tài)測(cè)試動(dòng)態(tài)測(cè)試服務(wù)

隨著技術(shù)發(fā)展，第三代半導(dǎo)體功率器件開(kāi)始由實(shí)驗(yàn)室階段步入商業(yè)應(yīng)用，未來(lái)應(yīng)用潛力巨大。通常這些新型器件測(cè)試要求更高的電壓和功率水平，更快的開(kāi)關(guān)時(shí)間。西安長(zhǎng)禾半導(dǎo)體積極布局第三代半導(dǎo)體功率器件的測(cè)試業(yè)務(wù)，引進(jìn)國(guó)際先進(jìn)的測(cè)試技術(shù)，為功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)上下游企業(yè)提供器件參數(shù)檢測(cè)服務(wù)，助力器件國(guó)產(chǎn)化、高新化發(fā)展。SCR靜態(tài)測(cè)試動(dòng)態(tài)測(cè)試服務(wù)

測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)：

覆蓋MIL-STD-750，IEC 60747系列，GB/T29332等標(biāo)準(zhǔn)；服務(wù)內(nèi)容包括：靜態(tài)參數(shù)，動(dòng)態(tài)參數(shù)，熱特性，雪崩耐量，短路特性及絕緣耐壓測(cè)試；設(shè)備支持0-1500A，0-3000V的器件參數(shù)檢測(cè)。SCR靜態(tài)測(cè)試動(dòng)態(tài)測(cè)試服務(wù)

產(chǎn)品范圍：

MOSFET、IGBT、DIODE、BJT，第三代半導(dǎo)體器件等分立器件，以及上述元件構(gòu)成的功率模塊

測(cè)試項(xiàng)目：

靜態(tài)參數(shù) 符號(hào)

Drain to Source Breakdown Voltage       BVDSS

Drain Leakage Current                             IDSS

Gate Leakage Current                              IGSS

Gate Threshold Voltage                          VGS(th)

Drain to Source On Resistance                RDS(on)

Drain to Source On Voltage                      VDS(on)

Body Diode Forward Voltage                      VSD

Internal Gate Resistance                                Rg

Input capacitance                                       Cies

Output capacitance                                  Coes

Reverse transfer capacitance                    Cres

Transconductance                                   gfs

Gate to Source Plateau Voltage          Vgs(pl)

動(dòng)態(tài)參數(shù) 符號(hào)

Turn-on delay time                                  td(on)

Rise time                                                     tr

Turn-off delay time                                    td(off)

Fall time                                                       tf

Turn-on energy                                         Eon

Turn-off energy                                         Eoff

Diode reverse recovery time                       trr

Diode reverse recovery charge                 Qrr

Diode peak reverse recovery current       Irrm

Diode peak rate of fall of reverse

recovery current                                       dirr/dt

Total gate charge                                       QG

Gate-Emitter charge                                QGC

Gate-Collector charge                             QGE

其他參數(shù) 符號(hào)

thermal resistance                                    Rth

Unclamped Inductive Switching              UIS

Reverse biased safe operating area        RBSOA

Short circuit safe operation area            SCSOA

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