蘇州汶顥微流控技術(shù)股份有限公司是一家留學(xué)人員回國創(chuàng)業(yè)的高新科技企業(yè)，集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售為一體，技術(shù)力量雄厚，生產(chǎn)設(shè)備先進，檢測手段齊全，產(chǎn)品質(zhì)量過硬。公司建立了完備的微流控芯片研發(fā)與生產(chǎn)中心，配置了三條微流控芯片生產(chǎn) 線，包括數(shù)控CNC微加工儀器，軟刻蝕有機芯片加工系統(tǒng)，光刻-掩模無機芯片加工系統(tǒng)，可以加工生產(chǎn)所有材質(zhì)的芯片，如玻璃、石英、硅、PDMS和PMMA等。產(chǎn)品涵蓋集成式通用醫(yī)療診斷芯片、集成式通用環(huán)境保護分析監(jiān)測芯片、集成式通用食品安全分析檢測芯片和基于微流控芯片的新能源體系四大系列數(shù)十個品種，以及各類科研類芯片，并在生物芯片和化學(xué)芯片領(lǐng)域一直保持技術(shù)和研發(fā)的領(lǐng)先地位，申請國家專利89項，其中授權(quán)20余項，已經(jīng)獲批注冊商標(biāo)2件，軟件著作權(quán)7件，江蘇省高新技術(shù)產(chǎn)品3項，建立企業(yè)標(biāo)準5項。

蘇州汶顥微流控技術(shù)股份有限公司提供的產(chǎn)品和服務(wù)按市場可分為科研類芯片、儀器標(biāo)配芯片、應(yīng)用類芯片及系統(tǒng)和芯片實驗室解決方案?？蒲蓄愋酒?wù)于基于微流控芯片的科研工作者，提供包括聚二甲基硅氧烷（PDMS）、聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）、玻璃及硅基等各種不同材質(zhì)的微流控芯片的設(shè)計與制備，用戶只需配置必要的輔助設(shè)備即可使用；儀器標(biāo)配芯片是針對國內(nèi)市場上微流控芯片儀器開發(fā)的標(biāo)準芯片，為微流控芯片儀器的核心組件，屬耗材類產(chǎn)品，如毛細管電泳芯片；應(yīng)用類芯片及系統(tǒng)是利用微流控芯片的技術(shù)優(yōu)勢開發(fā)的分析檢測裝置，應(yīng)用于環(huán)保、食品安全、藥物篩選等領(lǐng)域；芯片實驗室解決方案為客戶提供完整的一對一的微流控芯片科研或應(yīng)用的解決方案，分為產(chǎn)品和科技咨詢兩個方面：產(chǎn)品包括微流控芯片加工、檢測儀器設(shè)備配置及微流控芯片配件配置；科技咨詢?yōu)榭蛻籼峁┙M建芯片實驗室的整體方案、解決微流控芯片應(yīng)用中的技術(shù)難題、微流控芯片項目研發(fā)服務(wù)等。

  按照現(xiàn)代公司制度規(guī)范運作企業(yè)是公司創(chuàng)辦伊始就秉承的基本理念，目前，公司的團隊結(jié)構(gòu)、人事制度、財務(wù)制度、知識產(chǎn)權(quán)制度等都已經(jīng)逐步形成和完善。公司的口號：高品質(zhì)、高信譽、高效率。公司的宗旨：以發(fā)明創(chuàng)新為龍頭，以科技成果轉(zhuǎn)化為手段，以微流控芯片領(lǐng)域為主戰(zhàn)場，走科研成果商品化，商品產(chǎn)業(yè)化，產(chǎn)業(yè)規(guī)?；蛧H化的道路，以自主創(chuàng)新的核心技術(shù)為基礎(chǔ)的競爭戰(zhàn)略為企業(yè)長期發(fā)展戰(zhàn)略，整合產(chǎn)業(yè)鏈的各項優(yōu)勢資源，打造以自主創(chuàng)新為企業(yè)特色的產(chǎn)業(yè)價值鏈，塑造民族品牌，迎接國際化的挑戰(zhàn)。

產(chǎn)品簡介：

的化學(xué)增幅型負像SU-8光刻膠是一種負性、環(huán)氧樹脂型、近紫外線光刻膠，克服了普通光刻膠采用 UV光刻導(dǎo)致的深寬比不足的問題，十分適合于制備高深寬比微結(jié)構(gòu)。SU-8光刻膠在近紫外光(365nm-400nm)范圍內(nèi)光吸收度很低，且整個光刻膠層所獲得的曝光量均勻一致，可得到具有垂直側(cè)壁和高深寬比的厚膜圖形；它還具有良好的力學(xué)性能、抗化學(xué)腐蝕性和熱穩(wěn)定性。SU-8在受到紫外輻射后發(fā)生交聯(lián)，是一種化學(xué)擴大負性膠，可以形成臺階等結(jié)構(gòu)復(fù)雜的圖形；且SU-8光刻膠不導(dǎo)電，在電鍍時可以直接作為緣體使用。由于具有較多優(yōu)點，SU-8光刻膠正被逐漸應(yīng)用于 MEMS、芯片封裝和微加工等領(lǐng)域。目前，直接采用SU-8光刻膠來制備深寬比高的微結(jié)構(gòu)與微零件已經(jīng)成為微加工領(lǐng)域的一項新技術(shù)。

光刻前清洗工藝：

為了獲得更好的光刻效果，在進行光刻膠旋涂之前，需要對基材進行清洗。常用的清洗方法是利用濃硫酸及雙氧水的混合溶液浸泡，隨后用去離子水清洗并用氮氣吹干。除此之外還可以利用反應(yīng)離子刻蝕或等離子表面清洗儀清洗。

光刻工藝：

將SU-8光刻膠組分旋涂在基材上，旋涂厚度幾至幾百微米。涂覆晶片經(jīng)過前烘并冷卻至室溫。在烘干過程中，優(yōu)先選擇加熱均勻且溫度控制的加熱板；不能使用鼓風(fēng)干燥箱，防止因為光刻膠表面優(yōu)先固化從而阻止內(nèi)層光刻膠溶劑的揮發(fā)。冷卻后，將負光掩模與涂覆晶片接觸并在汞燈的紫外輻射劑量10-250mJ/㎝2條件下進行曝光。曝光結(jié)束后，選擇合適的烘烤溫度及時間。將晶片在顯影液中浸漬顯影，隨后用氮氣吹干。

以及可以配合SU-8膠使用的SU-8顯影液、去膠液。