HTR-4立式4寸快速退火爐（芯片熱處理設備）廣泛應用在IC晶圓、LED晶圓、MEMS、化合物半導體和功率器件等多種芯片產(chǎn)品的生產(chǎn)，和歐姆接觸快速合金、離子注入退火、氧化物生長、消除應力和致密化等工藝當中，通過快速熱處理以改善晶體結構和光電性能，技術指標高、工藝復雜、專用性強。...

HTR-4立式4寸快速退火爐

 

HTR-4立式4寸快速退火爐（芯片熱處理設備）廣泛應用在IC晶圓、LED晶圓、MEMS、化合物半導體和功率器件等多種芯片產(chǎn)品的生產(chǎn)，和歐姆接觸快速合金、離子注入退火、氧化物生長、消除應力和致密化等工藝當中，通過快速熱處理以改善晶體結構和光電性能，技術指標高、工藝復雜、專用性強。

主要應用領域：

1.快速熱處理(RTP)，快速退火(RTA)，快速熱氧化(RTO)，快速熱氮化(RTN)；

2.離子注入/接觸退火；

3.金屬合金；

4.熱氧化處理；

5.化合物合金（砷化鎵、氮化物等）；

6.多晶硅退火；

7.太陽能電池片退火；

8.高溫退火；

9.高溫擴散。

產(chǎn)品特點：

·         可測大尺寸樣品：可測單晶片樣品的尺寸為4英寸。

·         壓力控制系統(tǒng)創(chuàng)新設計：高精度控制壓力，以滿足不同的工藝要求。

·         存儲熱處理工藝：方便工藝參數(shù)調(diào)取，提高實驗效率，數(shù)據(jù)可查詢。

·         快速控溫與高真空：最高升溫速率可達150℃/s，真空度最高可達到10^-5Pa。

·         程序設定與氣路擴展：可實現(xiàn)不同溫度段的精確控制，進行降溫段的自動轉(zhuǎn)接，并能夠?qū)に嚥藛芜M行保存，方便調(diào)用。采用MFC精確控制氣體流量，實現(xiàn)不同氣氛環(huán)境（真空、氮氣等）下的熱處理。

·         獨特的腔體空間設計：保證大尺寸樣品的溫場均勻性 ≤1%。

·         全自動智能控制：采用全自動智能控制，包括溫度、時間、氣體流量、真空、冷卻水等均可實現(xiàn)自動控制。

·         超高安全系數(shù)：采用爐門安全溫度開啟保護、溫控器開啟權限保護以及設備急停安全保護三重安全措施，全方位保障設備使用安全。

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·         主要技術參數(shù)：

最大樣品尺寸	4英寸（直徑100mm）
控溫范圍	RT~1200℃
升溫速率（max）	150℃/s
高溫段降溫速率（max）	1200℃/min
控溫精度	±0.5℃
溫場均勻性	≤1%
氣體流量	標配1路MFC控制（氮氣）可擴展至4路
壓力控制	~1bar，±100Pa
工藝條件	支持真空、氧化、還原、惰性氣體等工藝氣氛，一鍵設置通過軟件控制真空及通氣時間

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