在科研、國(guó)防和生產(chǎn)實(shí)踐中，經(jīng)常需要對(duì)各種材料磁性進(jìn)行研究和檢測(cè)，特別是急需有適應(yīng)性強(qiáng)、靈敏度高、準(zhǔn)確可靠、使用方便的磁測(cè)儀器。隨著科學(xué)的發(fā)展，對(duì)儀器又提出了測(cè)量自動(dòng)化智能化的要求，SMA-100型飽和磁性分析儀是以磁天平法為基礎(chǔ)并配用近代電子技術(shù)發(fā)展起來(lái)的一種新型磁測(cè)儀器。。分析儀施加在樣品上的磁場(chǎng)很強(qiáng)足...

ZJ-5型積層壓電測(cè)試儀（積層靜壓電系數(shù)d33測(cè)量?jī)x）

鄭重申明：

1.材料產(chǎn)品精準(zhǔn)測(cè)量，數(shù)據(jù)真實(shí)可信，請(qǐng)勿相信其它任何仿制我們參數(shù)相同的產(chǎn)品.

2.最近網(wǎng)上有單位冒充我們的壓電產(chǎn)品及壓電極化裝置，他們采用盜圖，或是盜取技術(shù)參數(shù)，我們的產(chǎn)品沒有授權(quán)給任何一家單位，確認(rèn)產(chǎn)品可以直接撥打： 。

3.為了保護(hù)購(gòu)買者的利益：我們支持貨到驗(yàn)收后付款。

ZJ-5型積層壓電測(cè)試儀（積層靜壓電系數(shù)d33測(cè)量?jī)x）
關(guān)鍵詞: 積層壓電,陶瓷材料,高分子,d33

一、產(chǎn)品介紹：

壓電陶瓷是用于超聲電機(jī)的主要壓電材料。目前國(guó)內(nèi)外絕大多數(shù)超聲電機(jī)是以單層厚度為毫米級(jí)的單層或多層壓電陶瓷片（以下簡(jiǎn)稱壓電片）作為驅(qū)動(dòng)元件。隨著超聲電機(jī)向小、輕、薄、高效率、低振動(dòng)、低噪聲和低價(jià)格方面發(fā)展，不僅對(duì)壓電陶瓷的性能要求越來(lái)越高，而且對(duì)其結(jié)構(gòu)和尺寸等提出新的要求。其中壓電疊堆成為一個(gè)新的研究方向壓電疊堆，亦稱層疊式壓電陶瓷作動(dòng)器、多層疊堆式壓電陶瓷、或積層式壓電微位移器，是指厚度100μm左右的幾十層、甚至上百層的壓電陶瓷，連同電極，通過固態(tài)燒結(jié)工藝制作而成，并沿陶瓷層的厚度方向極化的壓電陶瓷組，各層之間在機(jī)械上串聯(lián)，在電路上并聯(lián)。與上述壓電片相比，壓電疊堆的能量轉(zhuǎn)換效率高、電源功耗低、響應(yīng)速度快、分辨率高、輸出力大、輸出位移大且穩(wěn)定、蠕變小等特點(diǎn)，特別是能實(shí)現(xiàn)低電壓驅(qū)動(dòng)、體積小的優(yōu)點(diǎn)，在包括超聲電機(jī)在內(nèi)的各種驅(qū)動(dòng)場(chǎng)合具有良好的應(yīng)用前景。

ZJ-5型積層壓電測(cè)試儀（積層靜壓電系數(shù)d33測(cè)量?jī)x）是為測(cè)量壓電材料的d33常數(shù)而設(shè)計(jì)的專用儀器，它可用來(lái)測(cè)量具有大壓電常數(shù)的壓電陶瓷，小壓電常數(shù)的壓電單晶及壓電高分子材料。此外，也可測(cè)量任意取向壓電單晶以及某些壓電器件的等效壓電d’33常數(shù)，儀器測(cè)量范圍寬，分辨率細(xì)，可靠性高，操作簡(jiǎn)單，對(duì)試樣大小及形狀無(wú)特殊要求，圓片、圓環(huán)、圓管、方塊、長(zhǎng)條、柱形及半球殼等均可測(cè)量，測(cè)量結(jié)果和極性在三位半數(shù)字面板表上直接顯示。

二、參考標(biāo)準(zhǔn):
GB3389.4-82《壓電陶瓷材料性能測(cè)試方法 縱向壓電應(yīng)變常數(shù)d33的靜態(tài)測(cè)試》 GB/T3389.5-1995《壓電陶瓷材料性能測(cè)試方法 圓片厚度伸縮振 動(dòng)模式》 GB000?Tj1.1/T3389.4-1982《壓電陶瓷材料性能測(cè)試方法 柱體縱 向長(zhǎng)度伸縮振動(dòng)模式》 GB/T 3389.7-1986《壓電陶瓷材料性能測(cè)試方法 強(qiáng)場(chǎng)介電性能的測(cè)試》 GB/T3389.8-1986《壓電陶瓷材料性能測(cè)試方法 熱釋電系數(shù)的測(cè)試

三、產(chǎn)品主要功能：

﹡測(cè)量積層壓電材料的d33常數(shù)

﹡測(cè)量具有大壓電常數(shù)的積層壓電陶瓷

﹡測(cè)量小壓電常數(shù)的壓電單晶及壓電高分子材料

﹡測(cè)量任意取向壓電單晶以及某些壓電器件的等效壓電d’33常數(shù)

四、主要技術(shù)指標(biāo)

★×1擋：20到2000pC/N，
★×10擋： 2000到50000pC/N，
★誤差：×1擋：±2%±1個(gè)數(shù)字，當(dāng)d33在200到2000pC/N；
★±5%±1個(gè)數(shù)字，當(dāng)d33在20到200pC/N；
★×10擋：±2%±1個(gè)數(shù)字，(當(dāng)d33在2000到50000pC/N)
±5%±1個(gè)數(shù)字，當(dāng)d33在200到2000pC/N。

★電壓保護(hù)：獨(dú)有的放電保護(hù)功能
★分辨率： ×1擋：1 pC/N；×0.1擋：0.1 pC/N。
尺寸：施力裝置：Φ110×140mm；儀器本體：240×200×80mm。
重量：施力裝置：約4公斤；
儀器本體：2公斤。
電源：220伏，50赫，20瓦。

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