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廈大解榮軍課題組AFM:面向高容量光學(xué)信息存儲(chǔ)的深陷阱長(zhǎng)余輝發(fā)光材料
發(fā)布時(shí)間:2018-01-16瀏覽次數(shù):1326返回列表
廈大解榮軍課題組AFM:面向高容量光學(xué)信息存儲(chǔ)的深陷阱長(zhǎng)余輝發(fā)光材料
長(zhǎng)余輝發(fā)光材料是利用能量陷阱對(duì)入射光子的捕獲和緩慢再釋放而產(chǎn)生持續(xù)發(fā)光的一類特殊光學(xué)功能材料,根據(jù)材料中陷阱密度和陷阱深度不同,其發(fā)光壽命從數(shù)秒至數(shù)小時(shí)不等?;谶@種獨(dú)特的發(fā)光性能,室溫長(zhǎng)余輝發(fā)光材料已被廣泛應(yīng)用于夜間指示照明及交流LED器件中,并成為生物熒光標(biāo)記和光學(xué)信息存儲(chǔ)領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。與室溫長(zhǎng)余輝發(fā)光材料相比,深陷阱長(zhǎng)余輝材料在室溫下載流子的釋放速度慢。由于具有在室溫下存儲(chǔ)信息,在高溫或額外光激勵(lì)下釋放信息的雙重特性,深陷阱長(zhǎng)余輝材料是一類理想的光學(xué)信息存儲(chǔ)介質(zhì)。并且,由于信息讀取時(shí)的光子發(fā)射包含特定的光譜特征,結(jié)合波分復(fù)用和強(qiáng)度復(fù)用技術(shù),以深陷阱長(zhǎng)余輝發(fā)光材料為存儲(chǔ)介質(zhì)有望研發(fā)出多信息維度的光學(xué)信息存儲(chǔ)系統(tǒng),解決傳統(tǒng)二維光學(xué)信息存儲(chǔ)介質(zhì)(如光盤等)存儲(chǔ)容量難以提升的困境.
【成果簡(jiǎn)介】
近日,廈門大學(xué)解榮軍課題組在光學(xué)信息存儲(chǔ)材料方面取得一定的研究進(jìn)展。課題組莊逸熙博士等研究人員在Advanced Functio
(a-b) 實(shí)際溫度曲線和熱釋發(fā)光曲線;
(c) 讀取信號(hào)的強(qiáng)度與信號(hào)存儲(chǔ)時(shí)間的關(guān)系。
本文報(bào)道了一種基于深陷阱長(zhǎng)余輝發(fā)光材料的光學(xué)信息存儲(chǔ)及信息讀取方式。通過(guò)405 nm激光將信息逐點(diǎn)刻錄于柔性粉體薄膜上,由于陷阱較深,所刻錄的信息在室溫被凍結(jié);而通過(guò)加熱到較高溫度或者通過(guò)980 nm近紅外激光照射,可讀出預(yù)刻錄的信息。讀取過(guò)程伴隨光子的發(fā)射,發(fā)光的波長(zhǎng)和強(qiáng)度可以通過(guò)成分和刻錄光強(qiáng)進(jìn)行調(diào)控。
傳統(tǒng)的相變型或磁光型光學(xué)信息存儲(chǔ)介質(zhì)是基于基板對(duì)入射光反射或偏振的差異而識(shí)別預(yù)存儲(chǔ)信息。本文所報(bào)道的信息讀取方式是利用刻錄點(diǎn)對(duì)光子的選擇性釋放,由于光子發(fā)射包含特定的光學(xué)信息,以深陷阱長(zhǎng)余輝發(fā)光材料作為存儲(chǔ)介質(zhì)有望研發(fā)出新一代具有超高存儲(chǔ)容量的多維光學(xué)信息存儲(chǔ)系統(tǒng)。
文獻(xiàn)鏈接: Optical data storage and multicolor emission readout in flexible films using deep-trap persistent luminescence materials (Adv. Funct. Mater., 2018, DOI: 10.1002/adfm.201705769)
與上述工作相關(guān)的另一項(xiàng)研究中,研究團(tuán)隊(duì)系統(tǒng)報(bào)道了在長(zhǎng)余輝發(fā)光材料體系SrSi2O2N2:Ln2+,Ln3+中以稀土離子共摻雜的方式進(jìn)行陷阱深度調(diào)控的思路,討論了不同陷阱深度對(duì)于信息存儲(chǔ)能力的影響。這項(xiàng)研究不僅對(duì)于設(shè)計(jì)不同陷阱深度的長(zhǎng)余輝發(fā)光材料具有重要啟示意義,而且展示了深陷阱長(zhǎng)余輝發(fā)光材料在信息防偽和顯示等新興領(lǐng)域的應(yīng)用潛力。該工作以“Trap depth engineering of SrSi2O2N2:Ln2+,Ln3+ (Ln2+ = Yb, Eu; Ln3+ = Dy, Ho, Er) persistent luminescence materials for information storage applications”為題于2017年12月26日在線發(fā)表在ACS Applied Materials & Interfaces上,論文作者為莊逸熙博士。
文獻(xiàn)鏈接:Trap depth engineering of SrSi2O2N2:Ln2+,Ln3+ (Ln2+ = Yb, Eu; Ln3+ = Dy, Ho, Er) persistent luminescence materials for information storage applications (ACS Appl. Mater. Interfaces, 2017, DOI: 10.1021/acsami.7b17271)
此外,研究團(tuán)隊(duì)2017年12月20日在ACS Applied Materials & Interfaces上在線發(fā)表了題為“Achieving multicolor long-lived luminescence in dye-encapsulated me