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雙電測(cè)數(shù)字式四探針測(cè)試儀是運(yùn)用直線或方形四探針雙位測(cè)量。該儀器設(shè)計(jì)符合單晶硅物理測(cè)試方法標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)。利用電流探針、電壓探針的變換，進(jìn)行兩次電測(cè)量，對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行雙電測(cè)分析，自動(dòng)消除樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機(jī)械游移等因素對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響，它與單電測(cè)直線或方形四探針相比，大大提高度，特別是適用于斜置式四探針對(duì)于微區(qū)的測(cè)試。
雙電測(cè)方阻電阻率測(cè)試儀
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規(guī)格型號(hào) |
FT-341 |
FT-342 |
FT-343 |
FT-345 |
FT-346 |
FT-347 |
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1.方塊電阻范圍 |
10-5～2×105Ω/□ |
10-4～2×103Ω/□ |
10-3～2×105Ω/□ |
10-3～2×103Ω/□ |
10-2～2×105Ω/□ |
10-2～2×103Ω/□ |
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2.電阻率范圍 |
10-6～2×106Ω-cm |
10-5～2×104-cm |
10-4～2×106Ω-cm |
10-4～2×104-cm |
10-3～2×106Ω-cm |
10-3～2×106Ω-cm |
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3.測(cè)試電流范圍 |
0.1μA,μA,0μA，100μA，1mA，10mA，100 mA |
1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA |
0.1μA,μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA |
1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA |
0.1μA，1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA |
1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA |
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4.電流精度 |
±0.1%讀數(shù) |
±0.2%讀數(shù) |
±0.2%讀數(shù) |
±0.3%讀數(shù) |
±0.3%讀數(shù) |
±0.3%讀數(shù) |
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5.電阻精度 |
≤0.3% |
≤0.3% |
≤0.3% |
≤0.5% |
≤0.5% |
≤0.5% |
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6.顯示讀數(shù) |
大屏液晶顯示：電阻、電阻率、方阻、溫度、單位換算、溫度系數(shù)、電流、電壓、探針形狀、探針間距、厚度 、電導(dǎo)率 |
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7.測(cè)試方式 |
雙電測(cè)量 |
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8.工作電源 |
輸入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗：<30W |
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9.整機(jī)不確定性誤差 |
≤3%（標(biāo)準(zhǔn)樣片結(jié)果） |
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10.選購(gòu)功能 |
選購(gòu)1.pc軟件； 選購(gòu)2.方形探頭； 選購(gòu)3.直線形探頭； 選購(gòu)4.測(cè)試平臺(tái) |
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雙電測(cè)方阻電阻率測(cè)試儀
本儀器本儀器采用四探針雙電測(cè)量方法，適用于生產(chǎn)企業(yè)、高等院校、科研部門(mén)，是檢驗(yàn)和分析導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體材料質(zhì)量的一種重要的工具。本儀器配置各類測(cè)量裝置可以測(cè)試不同材料。液晶顯示，無(wú)需人工計(jì)算，并帶有溫度補(bǔ)償功能，電阻率單位自動(dòng)選擇，儀器自動(dòng)測(cè)量并根據(jù)測(cè)試結(jié)果自動(dòng)轉(zhuǎn)換量程，無(wú)需人工多次和重復(fù)設(shè)置。采用AD芯片控制，恒流輸出，結(jié)構(gòu)合理、質(zhì)量輕便，運(yùn)輸安全、使用方便；選配：配備軟件可以由電腦操控，并保存和打印數(shù)據(jù)，自動(dòng)生成報(bào)表；本儀器采用4.3吋大液晶屏幕顯示，同時(shí)顯示液晶顯示：電阻、電阻率、方阻、溫度、單位換算、溫度系數(shù)、電流、電壓、探針形狀、探針間距、厚度 、電導(dǎo)率，配置不同的測(cè)試治具可以滿足不同材料的測(cè)試要求。測(cè)試治具可以根據(jù)產(chǎn)品及測(cè)試項(xiàng)目要求選購(gòu).
雙電測(cè)數(shù)字式四探針測(cè)試儀是運(yùn)用直線或方形四探針雙位測(cè)量。該儀器設(shè)計(jì)符合單晶硅物理測(cè)試方法標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)。利用電流探針、電壓探針的變換，進(jìn)行兩次電測(cè)量，對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行雙電測(cè)分析，自動(dòng)消除樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機(jī)械游移等因素對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響，它與單電測(cè)直線或方形四探針相比，大大提高度，特別是適用于斜置式四探針對(duì)于微區(qū)的測(cè)試。
