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X射線熒光光譜儀主要組件的選擇

發(fā)布時(shí)間:2019-06-25瀏覽次數(shù):2268返回列表

儀器的好壞主要取決于它的組件,因此要想選擇款好的儀器就得從組件著手。接下來(lái)我們就來(lái)介紹下X射線熒光光譜儀主要組件的選擇。

、X射線源(X射線管、供電電源、濾光片、光束尺寸)
這里將些組件都列到X射線源里面統(tǒng)討論,包括X射線管、電源供應(yīng)器、濾光片、光束尺寸。
X射線管和供電電源決定了檢測(cè)樣品將受到的能量強(qiáng)度和能量分布。商業(yè)化的能量色散X射線熒光光譜儀中用到的大多數(shù)X射線管都是50KV,1mA(50W)規(guī)格的。50KV的電壓能夠提供更的激發(fā)效率;X射線管通量可以利用燈絲電流設(shè)置行控制。
X射線管本質(zhì)上是個(gè)在電壓下作的二管,包括個(gè)發(fā)射電子的陰和個(gè)收集電子的陽(yáng)(也即靶材);常用的陽(yáng)材料有鎢(W)、銠(Rh)、鉬(Mo)和鉻(Cr)等,其中鎢(W)和銠(Rh)使用zui為廣泛。鎢金屬能夠產(chǎn)生更強(qiáng)的軔致輻射,也因此能得到更的能量(17-30KeV)激發(fā)效率。對(duì)于低原子序數(shù)元素的激發(fā),則通常選取銠(Rh)元素。
濾光片通常置于X射線管窗和樣品之間以過(guò)濾由X射線管產(chǎn)生的特定能量波。濾光片主要起到兩方面作用:
是當(dāng)X射線管可能會(huì)對(duì)樣品中待檢測(cè)元素產(chǎn)生影響時(shí)去除管特征譜的干擾;
二是去除光譜背景的主要來(lái)源——背散射輻射。光譜背景峰的去除能夠有效提峰/背比響應(yīng)值,提檢出限。 
光束尺寸通常由具有不同直徑的圓形(有時(shí)也為矩形)準(zhǔn)直器控制;準(zhǔn)直器尺寸與準(zhǔn)直器到樣品間的距離決定了其分析域。

二、氣氛
X射線熒光光譜儀能夠分析元素周期表中的大分元素,具體而言,從鈉元素(原子序數(shù)Z=11)到鈾元素(原子序數(shù)Z=92)都可以利用這種術(shù)行檢測(cè)分析。但是對(duì)于原子序數(shù)較低的元素(鈦元素Ti,Z=22以下),空氣會(huì)對(duì)檢測(cè)結(jié)果產(chǎn)生較大影響;由低原子序數(shù)元素產(chǎn)生的熒光值通常更低,并且樣品基體中的其它元素有可能會(huì)吸收低原子序數(shù)元素的能量輻射。
通常情況下,用于提低原子序數(shù)元素的檢測(cè)靈敏度的方法主要為將儀器的樣品室抽成真空環(huán)境或者以氦氣(He)沖洗樣品室。

三、探測(cè)器
探測(cè)器術(shù)——硅漂移探測(cè)器(SDDs)能夠提低能量敏感度,使得X射線熒光光譜術(shù)可以對(duì)些低原子序數(shù)元素行檢測(cè)分析,甚至是在空氣氣氛中也能行檢測(cè),例如用于測(cè)量化學(xué)鍍鎳涂層中磷元素(原子序數(shù)Z=15)的含量。但是,大多數(shù)的低原子序數(shù)元素的檢測(cè)分析依然還需要隔離空氣氣氛。
在能量色散X射線熒光光譜儀中,硅探測(cè)器已經(jīng)變得非常普遍;今天用到的硅探測(cè)器要么就是上面提到的硅漂移探測(cè)器,要么就是Si-PIN探測(cè)器,而流行的三種探測(cè)器是種密封的、充氣的正比計(jì)數(shù)器(Prop Counter)。
對(duì)于不同的應(yīng)用用途,X射線熒光光譜儀體系中探測(cè)器的選擇也不盡相同——例如對(duì)于定性分析往往需要用到硅漂移探測(cè)器。
正比計(jì)數(shù)器探測(cè)器較大的半寬(FWHM)會(huì)導(dǎo)致相鄰元素的檢測(cè)譜圖嚴(yán)重重疊,以至于利用峰值搜索算法和/或可見(jiàn)光譜觀察法都無(wú)法探測(cè)出其中某種或者多種成分的存在。對(duì)于些需要鑒別元素成分的業(yè)制品,其質(zhì)量檢驗(yàn)結(jié)果由于發(fā)生嚴(yán)重重疊,難以分辨,成難以檢測(cè)。
雖然利用硅探測(cè)器也會(huì)發(fā)生譜圖上的峰重疊現(xiàn)象,但在大多數(shù)的情況下,這些重疊峰能夠被輕易的分離和識(shí)別,這些特征使得硅探測(cè)器體系其適用于定性分析和來(lái)料檢驗(yàn)等方面。
組成能量色散X射線熒光光譜儀的電子器件般都非常穩(wěn)定,不會(huì)影響分析度;而無(wú)規(guī)計(jì)數(shù)誤差通常對(duì)測(cè)量度的影響較大。計(jì)數(shù)誤差般遵循泊松統(tǒng)計(jì)分布——每次測(cè)量獲得的數(shù)據(jù)越多,測(cè)量度越。
硅漂移探測(cè)器具有很的數(shù)據(jù)吞吐量,因此當(dāng)測(cè)量需要多采樣、時(shí)可以考慮使用這種探測(cè)器;但這通常需要樣品具有較的熒光強(qiáng)度值。熒光強(qiáng)度值取決于樣品——如樣品類型,樣品測(cè)量區(qū)域等。 
在分析測(cè)量些薄膜或者小樣品時(shí),樣品的特性可能會(huì)很微小。當(dāng)樣品或者樣品區(qū)很小(直徑只有幾十微米)時(shí),探測(cè)器的立體角則會(huì)起到很大的作用。而樣品或樣品區(qū)很小的情況往往都發(fā)生在測(cè)量電子元件和能性涂層厚度等時(shí)候,這時(shí)正比計(jì)數(shù)器(Prop Counter)就成為了種非常受歡迎的選擇,因?yàn)檫@種探測(cè)器具有的大俘獲角允許可以使用更小的準(zhǔn)直儀。因此,當(dāng)樣品譜圖相對(duì)簡(jiǎn)單,含有元素只有兩到三種,樣品分析區(qū)域直徑小到100-200微米時(shí),正比計(jì)數(shù)器Prop Counter則是個(gè)非常理想的選擇。
 

 


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