手持式電阻率測試儀/方塊電阻率儀 型號;DP-M3概述 DP-M3型手持式四探針測試儀是運用四探針測量原理測試電阻率/方阻的多用途綜合測量儀器。該儀器設計符合單晶硅物理測試方法標準并參考美 A.S.T.M 標準。...

 手持式電阻率測試儀/方塊電阻率儀 型號;DP-M3

概述 DP-M3型手持式四探針測試儀是運用四探針測量原理測試電阻率/方阻的多用途綜合測量儀器。該儀器設計符合單晶硅物理測試方法標準并參考美 A.S.T.M 標準。
成套組成：由MDP-M3主機、選配的四探針探頭等二部分組成，也可加配測試臺。
儀器所有參數(shù)設定、功能轉換全部采用輕觸按鍵輸入；具有零位、滿度自校功能；手動/自動轉換量程可選；測試結果由數(shù)字表頭直接顯示。本測試儀采用可充電電池供電，適合手持式變動場合操作使用！
探頭選配：根據(jù)不同材料性需要，探頭可有多款選配。有耐磨碳化鎢探針探頭，以測試硅類半導體、金屬、導電塑料類等硬質材料的電阻率/方阻；也有球形鍍金銅合金探針探頭，可測柔性材料導電薄膜、金屬涂層或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上導電膜（ITO膜）或納米涂層等半導體材料的電阻率/方阻。換上四端子測試夾具，還可對電阻器體電阻、金屬導體的低、中值電阻以及開關類接觸電阻行測量。配用探頭，也可測試電池片等箔上涂層電阻率方阻。
《四探針探頭點與選型參考》點擊入
儀器具有測量精度、靈敏度、穩(wěn)定性好、智能化程度、結構緊湊、使用簡便等點。
儀器適用于半導體材料廠、器件廠、科研單位、等院校對導體、半導體、類半導體材料的手持式導電性能的測試。
三、基本技術參數(shù)1. 測量范圍、分辨率
電 阻: 0.010 ～ 50.00kΩ, 分辨率0.001 ～ 10 Ω
電 阻 率: 0.010～ 20.00kΩ-cm，分辨率0.001 ～ 10 Ω-cm
方塊電阻: 0.050～ 100.0kΩ/□ 分辨率0.001 ～ 10 Ω/□
2. 可測材料尺寸
手持方式不限材料尺寸，但加配測試臺則由選配測試臺決定如下：
直 徑：SZT-A圓測試臺直接測試方式 Φ15～1DP-M30mm。
SZT-C方測試臺直接測試方式180mm×180mm。
長()度：測試臺直接測試方式 H≤100mm。.
測量方位: 軸向、徑向均可.
量程劃分及誤差等

量程（Ω-cm/□）	2.000	20.00	200.0	2.000k	20.00k
電阻測試范圍	0.010～2.200	2.000～22.00	20.00～220.0	0.200～2.200k	2.000～50.00k
電阻率/方阻	0.010/0.050～2.200	2.000～22.00	20.00～220.0	0.200～2.200k	2.000～20.00k
基本誤差	±1%FSB±2LSB			±2%FSB±2LSB

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